Superkości Samsunga
26 lutego 2016, 09:23Samsung Electronics poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji 256-gigabajtowych układów pamięci wykorzystujących standard Universal Flash Storage (UFS) 2.0. Kości przeznaczone są do high-endowych urządzeń mobilnych.
Ruszyła masowa produkcja 60-nanometrowych kości DRAM
4 marca 2007, 11:23Samsung Electronics rozpoczął masową produkcję pierwszych w historii 1-gigabitowych kości DDR2 wykonanych w technologii 60 nanometrów. Wdrożenie nowego procesu technologicznego oznacza 40% wzrost wydajności produkcji w porównaniu z technologią 80 nanometrów.
Samsung kupi urządzenia do EUV
9 maja 2016, 10:00Samsung Electronics chce wykorzystywać litografię w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV) w swoim procesie produkcyjnym. Firma ma zamiar konkurować z takimi gigantami jak TSMC. Dlatego też koreański koncern kupić urządzenia NXE3400 holenderskiej ASML
Samsung na dwóch formatach
13 kwietnia 2007, 09:40Po miesiącach spekulacji Samsung oficjalnie ogłosił powstanie dwuformatowego odtwarzacza HD DVD/Blu-ray. Urządzenie Duo HD (BD-UP5000) nie tylko poradzi sobie z oboma formatami, ale będzie też obsługiwało przypisane im technologie interaktywne – HDi i BD-Java.
Nokia i Microsoft razem
6 sierpnia 2007, 11:36Nokia ogłosiła, że ma zamiar wykorzystać opracowane przez Microsoft technologie DRM do ochrony treści przechowywanych w telefonach komórkowych. Fińska firma kupi licencję na technologię PlayReady i wbuduje ją we własne oprogramowanie S60.
IBM o zaletach 32-nanometrowych kości
15 kwietnia 2008, 10:53IBM wraz ze swoimi partnerami - Chartered Semiconductor, Freescale, Infineon Technologies, Samsung Electronics, STMicroelectronics i Toshiba - poinformowali o zakończonych sukcesem testach 32-nanometrowej technologii produkcji układów scalonych, przy których wykorzystano materiały o wysokiej stałej dielektrycznej oraz metalowe bramki.
Kości GDDR5 mogą już trafić na rynek
12 maja 2008, 13:15Qimonda ogłosiła, że może rozpocząć dostawy układów pamięci graficznych GDDR5. W tej chwili mogą być one taktowane zegarami do 4,50 GHz.
4 gigabity w jednej kości
29 stycznia 2009, 13:50Samsung Electronics jest autorem pierwszego czterogigabitowego układu DDR3 DRAM. Kość została wyprodukowana w technologii 50 nanometrów i charakteryzuje się największą gęstością upakowania danych spośród wszystkich podobnych produktów.
Trzy doby na ogniwie paliwowym
10 kwietnia 2009, 10:17Samsung ogłosił powstanie wydajnego ogniwa paliwowego dla wojska. W roku 2010 żołnierze będą mogli korzystać z ogniwa DMFC o pojemności 1800 Wh.
Samsung rozpocznie produkcję układów PRAM
5 maja 2009, 10:57W czerwcu Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję pamięci PRAM (phase change RAM). Układy PRAM to zmiennofazowe kości RAM.
